Получите оптовую цену
При заказе от 5000 руб одного наименованияОплата по безналичному расчету
Счета от 1000руб.Микросхема TLV272IDR
Артикул: 62170
Возможны незначительные отличия фактического дизайна изделия от данного изображения
Технические характеристики на Микросхема TLV272IDR здесь
Количество на складе: 824
Цена: 100.95 руб.
От 26 шт — 77.65 руб.
От 65 шт — 72.99 руб.
| Марка | Кол-во шт. | Норма упаковки |
|---|---|---|
| TLV272IDR | 4 | 4 |
| TLV272IDR | 820 | 20 |
| TLV272IDR | 2500 | дата поступления: 2024-12-19 |
2024-12-19
Описание
Если Вы не нашли интересующую для Вас информацию на Микросхема TLV272IDR,присылайте запрос, и мы постараемся предоставить наиболее развернутое описание с техническими характеристиками, с габаритными размерами, весом, маркировкой, а также возможностью подбора аналогичной продукции отечественного производства.
| Производитель : | Texas Instruments |
|---|---|
| Описание : | General Purpose Amplifier 2 Circuit |
| Тип : | входа/ выхода - Rail-to-Rail |
| Потребляемый ток : | 625 мкА |
| Выходной ток : | на канал - 13 мА |
| Коэффициент : | подавления - синфазного сигнала (CMRR) - 80; - помех по питанию (PSRR) - 70 дБ |
| Вес брутто : | 0.22 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во : | 58*46*46/2500 |
| Мощность : | 396 мВт |
| Напряжение : | синфазное (Vcm) - 1,35 В |
| Характеристика : | (In) - плотность тока шума на входе - 0,0006 пА/ sqrt Гц |
| Напряжение питания : | 2,7…16; ± 1,35…± 8 В |
| Входное напряжение : | (Vos) - входное напряжение смещения нуля - 5 мВ |
| Особенности : | CMOS |
| Диапазон рабочих температур : | -40…+125 °С |
| Усиление : | по напряжению - 110 дБ |
| Входной ток : | смещения (Ib) - 60 пA |
| Способ монтажа : | поверхностный (SMT) |
| Корпус : | SOIC-8 |
| Упаковка : | REEL, 2500 шт. |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) : | 1 |
Принимаем заказы на товары, не вошедшие в каталог
Оформить заявку Пришлите маркировку необходимого вам товара. Мы предоставим Вам наилучшие условия по поставке!